Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/2854
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКомарницький, А. В.uk
dc.date.accessioned2016-11-04T13:00:37Z-
dc.date.available2016-11-04T13:00:37Z-
dc.date.issued2012
dc.identifier.citationКомарницький А. В. Особливості вбудованого самотестування і самовідновлення мікросхем пам'яті [Текст] / А. В. Комарницький // Технології та дизайн. - 2012. - № 2 (3).uk
dc.identifier.urihttps://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/2854-
dc.description.abstractСтаття присвячена питанням підвищення коефіцієнта технічної готовності мікросхем пам'яті. запропоновано архітектура вбудованих засобів само тестування та відновлення, що дозволяє виконати заміну розряду даних основного масиву запам'ятовуючих осередків, в якому стався відмову, на дані, що надходять з виходів запасного масиву запам'ятовуючих осередків. Запропоновані апаратні засоби забезпечують автоматичну реконфігурацію даних мікросхеми при виявленні відмови.uk
dc.description.abstractСтатья посвящена вопросам повышения коэффициента технической готовности микросхем памяти. предложено архитектура встроенных средств само тестирование и восстановление, что позволяет выполнить замену разряда данных основного массива запоминающих ячеек, в котором произошел отказ, на данные, поступающие с выходов запасного массива запоминающих ячеек. Предлагаемые аппаратные средства обеспечивают автоматическую реконфигурацию данных микросхемы при обнаружении отказа.ru
dc.description.abstractArticle is devoted to increasing the coefficient of technical readiness of memory chips. Рroposed architecture built-in self test and recovery, allowing for replacement of the discharge data of the main array storage cells in which there was a failure, the data coming from the outputs of the spare array storage cells. The proposed hardware provides automatic reconfiguration of data circuits in the detection of rejection.en
dc.languageuk
dc.subjectbuilt-in self testingen
dc.subjectdecoder linesen
dc.subjectanalysis of redundancy memory cellen
dc.subjectthe final machineen
dc.subjectвстроенное самотестированиеru
dc.subjectдешифратор строкru
dc.subjectанализ избыточностиru
dc.subjectячейки памятиru
dc.subjectконечный автоматru
dc.subjectвбудоване самотестуванняuk
dc.subjectдешифратор рядківuk
dc.subjectаналіз надмірностіuk
dc.subjectкомірки пам'ятіuk
dc.subjectкінцевий автоматuk
dc.titleОсобливості вбудованого самотестування і самовідновлення мікросхем пам'ятіuk
dc.typeArticle
local.contributor.altauthorKomarnitsky, A. V.en
local.contributor.altauthorКомарницкий, А. В.ru
local.subject.sectionЕлектронні пристрої та електротехнічні комплекси, комп'ютерно-інтегровані системи управлінняuk
local.sourceТехнології та дизайнuk
local.source.number№ 2 (3)uk
local.subject.method0
Розташовується у зібраннях:Електронний науковий журнал «Технології та дизайн»
Наукові публікації (статті)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
td_2012_N2_14.pdf208,68 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.