Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/19534
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorОстрожинський, Валентин Євгенович-
dc.contributor.authorГорбачук, Микола Тихонович-
dc.date.accessioned2022-02-21T14:11:58Z-
dc.date.available2022-02-21T14:11:58Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationОстрожинський В. Є. Аналіз і порівняння електрофізичних властивостей і характеристик деяких електротехнічних напівпровідникових матеріалів з метою їх застосування для створення датчиків Холла / В. Є. Острожинський, М. Т. Горбачук // Інноватика в освіті, науці та бізнесі: виклики та можливості : матеріали II Всеукраїнської конференції здобувачів вищої освіти і молодих учених, м. Київ, 18 листопада 2021 року. – Т. 1. – Київ : КНУТД, 2021. – С. 297-301.uk
dc.identifier.urihttps://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/19534-
dc.description.abstractПроведено аналіз електрофізичних властивостей відомих напівпровідникових електротехнічних матеріалів, таких як арсенід галію GaAs, германій Ge, антимонід індію InSb, кремній Si з метою виявлення переваг для створення датчиків магнітного поля – датчиків Холла. Проведено аналіз на основі фізики ефекту Холла і математичного аналізу, що визначає величину ефекту Холла в тому чи іншому матеріалі. Наведено характеристики датчиків Холла на основі різних матеріалів, зроблено висновки про переваги того чи іншого матеріалу в певних умовах і перспективності розглянутих матеріалів.uk
dc.description.abstractThe electrophysical properties of well – known semiconductor electrical materials, such as gallium arsenide GaAs, germanium Ge, indium antimonide InSb, Silicon Si, were analyzed in order to identify advantages for creating magnetic field sensors-Hall sensors. The analysis is based on the physics of the Hall effect and mathematical analysis that determines the magnitude of the Hall effect in a particular material. The characteristics of Hall sensors based on various materials are presented, conclusions are drawn about the advantages of a particular material in certain conditions and the prospects of the materials under consideration.uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherКиївський національний університет технологій та дизайнуuk
dc.subjectнапівпровідникиuk
dc.subjectмагнітні поляuk
dc.subjectдатчики Холлаuk
dc.subjectsemiconductorsuk
dc.subjectmagnetic fieldsuk
dc.subjectHall sensorsuk
dc.titleАналіз і порівняння електрофізичних властивостей і характеристик деяких електротехнічних напівпровідникових матеріалів з метою їх застосування для створення датчиків Холлаuk
dc.title.alternativeAnalysis and comparison of electrophysical properties and characteristics of some electrotechnical semiconductor materials for their application to create Hall sensorsuk
dc.typeArticleuk
local.contributor.altauthorOstrozhinsky, V.-
local.contributor.altauthorGorbachuk, N.-
local.conference.locationКиївuk
local.conference.date2021-11-18-
local.conference.nameІнноватика в освіті, науці та бізнесі: виклики та можливостіuk
local.subject.method0uk
local.conference.sectionІнноватика в науціuk
Розташовується у зібраннях:Кафедра прикладної фізики та вищої математики (ПФВМ)
Інноватика в освіті, науці та бізнесі: виклики та можливості

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Innovatyka2021_V1_P297-301.pdf252,36 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.