Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6635
Название: Аморфний СdP2-перспективний матеріал для електронної техніки
Авторы: Лапшин, В. Ф.
Максимов, В. К.
Потапов, А. А.
Дата публикации: 2009
Библиографическое описание: Лапшин В. Ф. Аморфний СdP2-перспективний матеріал для електронної техніки [Текст] / В. Ф. Лапшин, В. К. Максимов, А. А. Потапов // Вісник Київського національного університету технологій та дизайну. - 2009. - № 6 (50). - C. 33-37.
Source: Вісник Київського національного університету технологій та дизайну
Краткий осмотр (реферат): Стаття присвячена проблемам матеріалознавства. Запропоновано новий напівпровідниковий аморфний матеріал – CdP2, досліджено його електропровідність та вплив на неї питомої густини енергетичних рівнів для електронів і ступеня їх компенсації. Запропонований матеріал може бути використано для виготовлення активних елементів електронної техніки.
Статья посвящена проблемам материаловедения. Предложен новый полупроводниковый аморфный материал – CdP2, исследована его электропроводность и влияние на неё удельной плотности энергетических уровней для электронов и степени их компенсации. Предложенный материал может быть использован для изготовления активных элементов электронной техники.
The article is dedicated to issues of materials technology. A new semiconductive amorphous material СdP2 is suggested, its conductivity factor is searched as well as influence of specific density of energy levels for electrons on it and its compensation. Proposed material can be used for production of active elements of electronic technology.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6635
ISSN: 1813-6796
Располагается в коллекциях:Наукові публікації (статті)
Вісник КНУТД

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
V50_P033-037.pdf321,28 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.