Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6722
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorДроменко, В. Б.-
dc.contributor.authorФесан, В. В.-
dc.date.accessioned2017-07-05T17:02:49Z-
dc.date.available2017-07-05T17:02:49Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationДроменко В. Б. Побудова математичної моделі газочутливого напівпровідникового резистора / В. Б. Дроменко, В. В. Фесан // Мехатронні системи: інновації та інжиніринг : тези доп. міжнар. наук.-практ. конф. (15 червня 2017 р., м. Київ) / відп. за вип. М. А. Зенкін. - К. : КНУТД, 2017. - С. 154.uk
dc.identifier.urihttps://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6722-
dc.language.isoukuk
dc.publisherКиївський національний університет технологій та дизайнуuk
dc.subjectнапівпровідниковий полікристалічний резисторuk
dc.subjectпровідність газочутливого напівпровідникаuk
dc.subjectмікроконцентрації парогазових домішокuk
dc.titleПобудова математичної моделі газочутливого напівпровідникового резистораuk
dc.typeThesisuk
local.conference.locationКиївuk
local.conference.date2017-06-15-
local.conference.nameМехатронні системи: інновації та інжинірингuk
local.subject.method0uk
local.conference.sectionМехатронні інформаційні пристрої та системиuk
Розташовується у зібраннях:Мехатронні системи: інновації та інжиніринг

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
MSIE2017_P154.pdf244,12 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.