Электрохимическое формирование наноструктурированного алюминиевого покрытия

Abstract

Промышленное производство всех типов дисплейных устройств с ежегодным объемом выпуска в сотни миллионов штук (активно-матричные жидкокристаллические дисплеи для телевизионной и компьютерной техники, мобильные телефоны и др.) основано на использовании прозрачного проводящего оксида In2O3, легированного оловом или цинком, с оптическим пропусканием на уровне 80 – 85% и поверхностным сопротивлением менее 50 Ом/□ [1, 2]. Разведанные мировые запасы исходных материалов, прежде всего Индия, весьма ограничены и в ближайшие несколько лет промышленность может столкнуться с их существенным дефицитом.

The article presents the results of electrochemical investigations of the oxidation process of aluminum. It has been established that for the formation of a transparent nanostructured layer of aluminum with fine porosity and good dielectric properties of the film, oxalic electrolyte (0,3 M), high voltage (50 - 80 V) and low temperature (4 - 20°С) should be used. To create an orderly structure and increase the dielectric properties of the nanostructured aluminum film layers were etched in a solution containing in g / l: CrO3 - 18; H3PO4 - 60 (ρ = 1,69 g / cm3) at 80°C.