Ti-Si-C in-situ composite as a potencial material for lightweight SOFC interconnects

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/17000

Название:	Ti-Si-C in-situ composite as a potencial material for lightweight SOFC interconnects
Другие названия:	Ti-Si-C in-situ композит як потенційний матеріал для з’єднувальних елементів облегшених ТОПК
Авторы:	Podhurska, V. Brodnikovskyi, D. Vasyliv, B. Gadzyra, M. Tkachenko, S. Čelko, L. Ostash, O. Brodnikovska, I. Brodnikovskyi, Ye. Vasylyev, O.
Дата публикации:	2020
Библиографическое описание:	Ti-Si-C in-situ composite as a potencial material for lightweight SOFC interconnects = Ti-Si-C in-situ композит як потенційний матеріал для з’єднувальних елементів облегшених ТОПК [Текст] / V. Podhurska, D. Brodnikovskyi, B. Vasyliv, M. Gadzyra, S. Tkachenko, L. Čelko, O. Ostash, I. Brodnikovska, Ye. Brodnikovskyi, O. Vasylyev // Promising materials and processes in applied electrochemistry – 2020 : monograph / ed.: V. Z. Barsukov, Yu. V. Borysenko, V. G. Khomenko, O. V. Linyucheva ; editor-in-chief V. Z. Barsukov. - Kyiv : KNUTD, 2020. - С. 54-68.
Source:	Promising materials and processes in applied electrochemistry – 2020
URI (Унифицированный идентификатор ресурса):	https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/17000
Располагается в коллекциях:	Наукові публікації (статті)

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
Promising_2020_P054-068.pdf		2,88 MB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

DSpace JSPUI