Ti-Si-C in-situ composite as a potencial material for lightweight SOFC interconnects

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/17000

Назва:	Ti-Si-C in-situ composite as a potencial material for lightweight SOFC interconnects
Інші назви:	Ti-Si-C in-situ композит як потенційний матеріал для з’єднувальних елементів облегшених ТОПК
Автори:	Podhurska, V. Brodnikovskyi, D. Vasyliv, B. Gadzyra, M. Tkachenko, S. Čelko, L. Ostash, O. Brodnikovska, I. Brodnikovskyi, Ye. Vasylyev, O.
Дата публікації:	2020
Бібліографічний опис:	Ti-Si-C in-situ composite as a potencial material for lightweight SOFC interconnects = Ti-Si-C in-situ композит як потенційний матеріал для з’єднувальних елементів облегшених ТОПК [Текст] / V. Podhurska, D. Brodnikovskyi, B. Vasyliv, M. Gadzyra, S. Tkachenko, L. Čelko, O. Ostash, I. Brodnikovska, Ye. Brodnikovskyi, O. Vasylyev // Promising materials and processes in applied electrochemistry – 2020 : monograph / ed.: V. Z. Barsukov, Yu. V. Borysenko, V. G. Khomenko, O. V. Linyucheva ; editor-in-chief V. Z. Barsukov. - Kyiv : KNUTD, 2020. - С. 54-68.
Source:	Promising materials and processes in applied electrochemistry – 2020
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/17000
Розташовується у зібраннях:	Наукові публікації (статті)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
Promising_2020_P054-068.pdf		2,88 MB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI