1. Електронний архів КНУТД
  2. Загальноуніверситетські колекції
  3. Матеріали наукових конференцій та семінарів КНУТД
  4. 2017 рік
  5. Мехатронні системи: інновації та інжиніринг
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6722
Назва: Побудова математичної моделі газочутливого напівпровідникового резистора
Автори: Дроменко, В. Б.
Фесан, В. В.
Ключові слова: напівпровідниковий полікристалічний резистор
провідність газочутливого напівпровідника
мікроконцентрації парогазових домішок
Дата публікації: 2017
Видавництво: Київський національний університет технологій та дизайну
Бібліографічний опис: Дроменко В. Б. Побудова математичної моделі газочутливого напівпровідникового резистора / В. Б. Дроменко, В. В. Фесан // Мехатронні системи: інновації та інжиніринг : тези доп. міжнар. наук.-практ. конф. (15 червня 2017 р., м. Київ) / відп. за вип. М. А. Зенкін. - К. : КНУТД, 2017. - С. 154.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6722
Розташовується у зібраннях:Мехатронні системи: інновації та інжиніринг

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
MSIE2017_P154.pdf244,12 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.